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　　離子鍍沉積源的設(shè)計應盡可能提高鍍膜過程中的離化率，提高鍍膜材料的利用率，合理匹配沉積源的功率，合理布置沉積源在真空室體的位置。
　　合理布置加熱裝置，一般加熱器結(jié)構(gòu)布局應使被鍍工件溫升均勻一樣。
　　工件架應與真空室體絕緣，工件架的設(shè)計應使工件膜層均勻。
　　多弧離子真空鍍膜設(shè)備一般應具有工件負偏壓和離子轟擊電源，離子轟擊電源應具有抑制非正常放電裝置，維持穩(wěn)定。
　　真空室接不同電位的各部分間的絕緣電阻值的大小，均按相應的要求。